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本人在缅甸东部省迈扎央县有21.6平方公里的稀土采矿证。已探明储量1.7万吨，矿区已通电通路，还有部分机械设备，现寻求公司或个人合作。联系人：郭先生，联系电话：13925385054。
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主要用于制备Ⅲ—Ⅴ化合物半导体，为GaAs、GaP、GaAsP、GaAlAs、GaAlP高纯合金、晶体管合金、超低温合金，原子反应堆中之热载体以及锗、硅、单晶的掺杂剂。
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主要用于制备化合物半导体，高纯合金，电子致冷元件热电
转换元件以及原子反应堆中液态冷却载体等。
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主要用于制备Ⅲ—Ⅳ族化合物半导体，高纯合金，玻璃半导体以及锗、硅单晶的掺杂剂，应用于电子激光，光存贮技术。
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主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却、晶体管基极以及锗、硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料等。
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